（要闻）新金属芯片能提高存储速度百倍

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更快更密集的数据存储革命即将到来吗？根据最近发表在英国《自然与物理》杂志上的一项研究，一个美国联合研究小组通过使用层状碲化钨制作了一个只有三个原子厚度的二维(2d)金属芯片。在节约能源的同时，存储速度提高了100倍，为开发下一代数据存储材料奠定了基础。

今天，世界产生的数据比以往任何时候都多。然而，我们目前的存储系统已经接近尺寸和密度的极限，因此迫切需要相关的技术革命。科学家们正在研究其他形式的数据保存，包括激光蚀刻载玻片、冰冷分子、单个氢原子、全息薄膜甚至dna。

在这项新的研究中，来自斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯A&M大学的研究人员尝试了另一种方法。他们开发的新系统由碲化钨组成，碲化钨被排列成一堆超薄层，每层只有3个原子厚。它可以代替硅片存储数据，比硅片更密集、更小、更快、更节能。

研究人员向碲化钨的薄层结构施加小电流，使奇数层相对于偶数层稳定移动，并使用奇偶层的排列来存储二进制数据。在写入数据后，他们通过一种叫做贝利曲率的量子属性读取数据，而不会干扰排列。

该团队说，与现有的基于硅的数据存储系统相比，新系统有很大的优势——它可以将更多的数据填充到一个非常小的物理空房间，并节省能源。此外，偏移发生得如此之快，以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍..

目前，该团队已经申请了该设计的专利。他们还在研究下一步的改进方法，比如寻找除碲化钨以外的其他2d材料。研究人员表示，对超薄层进行非常小的调整就会对其功能特性产生很大影响，人们可以利用这些知识设计新的节能设备，以实现可持续发展和更智能的未来存储方法。(记者张)